IDH08G65C6XKSA1
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| Numero parte | IDH08G65C6XKSA1 |
| PNEDA Part # | IDH08G65C6XKSA1 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.896 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDH08G65C6XKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDH08G65C6XKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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IDH08G65C6XKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 20A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 8A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 27µA @ 420V |
| Capacità @ Vr, F | 401pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 800mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 800mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
