IDH03G65C5XKSA2
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| Numero parte | IDH03G65C5XKSA2 |
| PNEDA Part # | IDH03G65C5XKSA2 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2-1 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 11.388 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IDH03G65C5XKSA2 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDH03G65C5XKSA2 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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IDH03G65C5XKSA2 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 100pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-1 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 30pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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