IDC08S60CEX7SA1
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| Numero parte | IDC08S60CEX7SA1 |
| PNEDA Part # | IDC08S60CEX7SA1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.482 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDC08S60CEX7SA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDC08S60CEX7SA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
IDC08S60CEX7SA1, IDC08S60CEX7SA1 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 57,54 KB)
  
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IDC08S60CEX7SA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-221AA, SMB Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore SMBflat Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/590 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 220V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 1.2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 220V Capacità @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia E, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 120A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 570mV @ 120A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10mA @ 40V Capacità @ Vr, F 5200pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 HALF-PAK Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SOD-57, Axial Pacchetto dispositivo fornitore SOD-57 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 85A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 85A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-5 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 180°C |
