IDC04S60CEX1SA1
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| Numero parte | IDC04S60CEX1SA1 |
| PNEDA Part # | IDC04S60CEX1SA1 |
| Descrizione | DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.020 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDC04S60CEX1SA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDC04S60CEX1SA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
IDC04S60CEX1SA1, IDC04S60CEX1SA1 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 57,48 KB)
  
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IDC04S60CEX1SA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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