IDB09E60ATMA1
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| Numero parte | IDB09E60ATMA1 |
| PNEDA Part # | IDB09E60ATMA1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.192 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDB09E60ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDB09E60ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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IDB09E60ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 19.3A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2V @ 9A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 30mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 15mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore MicroMELF Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 120V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 300µA @ 120V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerDI™ 5 Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI™ 5 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/682 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 860mV @ 40A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 45V Capacità @ Vr, F 800pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore U3 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
