IAUS240N08S5N019ATMA1
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Numero parte | IAUS240N08S5N019ATMA1 |
PNEDA Part # | IAUS240N08S5N019ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 240A PG-HSOG-8-1 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.988 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IAUS240N08S5N019ATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IAUS240N08S5N019ATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
IAUS240N08S5N019ATMA1, IAUS240N08S5N019ATMA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 329,1 KB)
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IAUS240N08S5N019ATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 240A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 160µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9264pF @ 40V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOG-8-1 |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerSMD, Gull Wing |
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