HUFA75639S3ST-F085A
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| Numero parte | HUFA75639S3ST-F085A |
| PNEDA Part # | HUFA75639S3ST-F085A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.714 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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HUFA75639S3ST-F085A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HUFA75639S3ST-F085A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
HUFA75639S3ST-F085A, HUFA75639S3ST-F085A Datasheet
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HUFA75639S3ST-F085A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 56A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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