HUF75829D3ST
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Numero parte | HUF75829D3ST |
PNEDA Part # | HUF75829D3ST |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.618 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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HUF75829D3ST Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | HUF75829D3ST |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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HUF75829D3ST Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | UltraFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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