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HUF75645S3S

HUF75645S3S

Solo per riferimento

Numero parte HUF75645S3S
PNEDA Part # HUF75645S3S
Descrizione MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.646
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 27 - lug 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HUF75645S3S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHUF75645S3S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
HUF75645S3S, HUF75645S3S Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 391,35 KB)
PDFHUF75645S3S Datasheet Copertura
HUF75645S3S Datasheet Pagina 2 HUF75645S3S Datasheet Pagina 3 HUF75645S3S Datasheet Pagina 4 HUF75645S3S Datasheet Pagina 5 HUF75645S3S Datasheet Pagina 6 HUF75645S3S Datasheet Pagina 7 HUF75645S3S Datasheet Pagina 8 HUF75645S3S Datasheet Pagina 9 HUF75645S3S Datasheet Pagina 10

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HUF75645S3S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieUltraFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs238nC @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3790pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)310W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1750pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

170W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

RQ5E020SPTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT3

Pacchetto / Custodia

SC-96

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

E

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

347pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

29W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Produttore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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