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HUF75343S3

HUF75343S3

Solo per riferimento

Numero parte HUF75343S3
PNEDA Part # HUF75343S3
Descrizione MOSFET N-CH 55V 75A TO-262AA
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 6.660
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HUF75343S3 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHUF75343S3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
HUF75343S3, HUF75343S3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 283,4 KB)
PDFHUF75343G3 Datasheet Copertura
HUF75343G3 Datasheet Pagina 2 HUF75343G3 Datasheet Pagina 3 HUF75343G3 Datasheet Pagina 4 HUF75343G3 Datasheet Pagina 5 HUF75343G3 Datasheet Pagina 6 HUF75343G3 Datasheet Pagina 7 HUF75343G3 Datasheet Pagina 8 HUF75343G3 Datasheet Pagina 9 HUF75343G3 Datasheet Pagina 10

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HUF75343S3 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieUltraFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs205nC @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)270W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK (TO-262)
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

99A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2601pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

46.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4307pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXKK85N60C

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

650nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264A

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

FDMC7582

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16.7A (Ta), 49A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 16.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1795pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Power33

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

5LN01M-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.57nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.6pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-MCP

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

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