HUF75332S3ST
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| Numero parte | HUF75332S3ST |
| PNEDA Part # | HUF75332S3ST |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.740 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HUF75332S3ST Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HUF75332S3ST |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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HUF75332S3ST Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | UltraFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 145W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 210mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.65V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 310mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-723 Pacchetto / Custodia SOT-723 |
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