HSMS-286B-TR2G
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| Numero parte | HSMS-286B-TR2G |
| PNEDA Part # | HSMS-286B-TR2G |
| Descrizione | RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT323 |
| Produttore | Broadcom |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.550 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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HSMS-286B-TR2G Risorse
| Brand | Broadcom |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HSMS-286B-TR2G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi - RF |
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HSMS-286B-TR2G Specifiche
| Produttore | Broadcom Limited |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky - Single |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 4V |
| Corrente - Max | - |
| Capacità @ Vr, F | 0.25pF @ 0V, 1MHz |
| Resistenza @ If, F | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Pacchetto / Custodia | SC-70, SOT-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
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Produttore Broadcom Limited Serie - Tipo di diodo Schottky - 1 Bridge Tensione - Picco inverso (Max) 15V Corrente - Max 750mA Capacità @ Vr, F 6.7pF @ 0V, 1MHz Resistenza @ If, F 650mOhm @ 100mA, 1MHz Dissipazione di potenza (max) 825mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Schottky - 2 Independent Tensione - Picco inverso (Max) 4V Corrente - Max 130mA Capacità @ Vr, F 0.75pF @ 0V, 1MHz Resistenza @ If, F 15Ohm @ 5mA, 10kHz Dissipazione di potenza (max) 150mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Pacchetto / Custodia TO-253-4, TO-253AA Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT143-4 |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Tipo di diodo - Tensione - Picco inverso (Max) - Corrente - Max - Capacità @ Vr, F - Resistenza @ If, F - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Skyworks Solutions Inc. Serie - Tipo di diodo PIN - Single Tensione - Picco inverso (Max) 200V Corrente - Max 1.5A Capacità @ Vr, F 0.35pF @ 30V, 1MHz Resistenza @ If, F 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz Dissipazione di potenza (max) 3W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TA) Pacchetto / Custodia 2-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 3-QFN (2x2) |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di diodo PIN - Single Tensione - Picco inverso (Max) 50V Corrente - Max 100mA Capacità @ Vr, F 0.25pF @ 20V, 1MHz Resistenza @ If, F 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz Dissipazione di potenza (max) 415mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Pacchetto / Custodia SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-523 |
