HSM835G/TR13
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| Numero parte | HSM835G/TR13 |
| PNEDA Part # | HSM835G-TR13 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DO215AB |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.538 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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HSM835G/TR13 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HSM835G/TR13 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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HSM835G/TR13 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 35V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 35V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-215AB, SMC Gull Wing |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
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