HSM830JE3/TR13
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| Numero parte | HSM830JE3/TR13 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | HSM830JE3-TR13 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO214AB | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 39.755 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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HSM830JE3/TR13 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HSM830JE3/TR13 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
HSM830JE3/TR13, HSM830JE3/TR13 Datasheet
(Totale pagine: 2, Dimensioni: 105,96 KB)
  
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HSM830JE3/TR13 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 30V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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