HN3C10FUTE85LF
Solo per riferimento
| Numero parte | HN3C10FUTE85LF |
| PNEDA Part # | HN3C10FUTE85LF |
| Descrizione | RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.244 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
HN3C10FUTE85LF Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | HN3C10FUTE85LF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- HN3C10FUTE85LF Datasheet
- where to find HN3C10FUTE85LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF
- HN3C10FUTE85LF PDF Datasheet
- HN3C10FUTE85LF Stock
- HN3C10FUTE85LF Pinout
- Datasheet HN3C10FUTE85LF
- HN3C10FUTE85LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- HN3C10FUTE85LF Price
- HN3C10FUTE85LF Distributor
HN3C10FUTE85LF Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN (Dual) |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 12V |
| Frequenza - Transizione | 7GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Guadagno | 11.5dB |
| Potenza - Max | 200mW |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80mA |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 18V Frequenza - Transizione 175MHz Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno 12dB Potenza - Max 34W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 250mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2.5A Temperatura di esercizio 200°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia M122 Pacchetto dispositivo fornitore M122 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 24V Frequenza - Transizione 2.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno 7.8dB ~ 8.5dB Potenza - Max 13W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 200mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1.5A Temperatura di esercizio 200°C (TJ) Tipo di montaggio Stud Mount Pacchetto / Custodia 55FT Pacchetto dispositivo fornitore 55FT |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno - Potenza - Max - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 15V Frequenza - Transizione 9GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz Guadagno - Potenza - Max 500mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 40mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 120mA Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-343 Reverse Pinning Pacchetto dispositivo fornitore 4-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 30V Frequenza - Transizione 700MHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Guadagno 20dB ~ 24dB Potenza - Max 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
