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HN3A51F(TE85L,F)

HN3A51F(TE85L,F)

Solo per riferimento

Numero parte HN3A51F(TE85L,F)
PNEDA Part # HN3A51F-TE85L-F
Descrizione TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HN3A51F(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHN3A51F(TE85L,F)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array

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HN3A51F(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)120V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Potenza - Max300mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitoreSM6

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

STD815CP40

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

16 @ 350mA, 5V

Potenza - Max

2.6W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

DME20C010R

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP Complementary Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

180MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

DMG204020R

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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