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HN2A01FE-Y(TE85L,F

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Solo per riferimento

Numero parte HN2A01FE-Y(TE85L,F
PNEDA Part # HN2A01FE-Y-TE85L-F
Descrizione TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.328
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HN2A01FE-Y(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHN2A01FE-Y(TE85L,F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array

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HN2A01FE-Y(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max100mW
Frequenza - Transizione80MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreES6

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

SMV

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Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

4 PNP (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 30mA, 300mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 300mA, 10V

Potenza - Max

650mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-116

EMZ8T2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA, 500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

180MHz, 260MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

SMBT3904PNE6327HTSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

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