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HN2A01FE-GR(TE85LF

HN2A01FE-GR(TE85LF

Solo per riferimento

Numero parte HN2A01FE-GR(TE85LF
PNEDA Part # HN2A01FE-GR-TE85LF
Descrizione TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.484
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HN2A01FE-GR(TE85LF Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHN2A01FE-GR(TE85LF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array

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HN2A01FE-GR(TE85LF Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Potenza - Max100mW
Frequenza - Transizione800MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreES6

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Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 8mA, 400mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

MINI6-G1

BC 846PN H6727

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

UMZ1NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

2µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

114MHz, 142MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

BC846SH6727XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

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Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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