HN1B01F-GR(TE85L,F
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| Numero parte | HN1B01F-GR(TE85L,F |
| PNEDA Part # | HN1B01F-GR-TE85L-F |
| Descrizione | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.076 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HN1B01F-GR(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HN1B01F-GR(TE85L,F |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array |
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HN1B01F-GR(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN, PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Potenza - Max | 300mW |
| Frequenza - Transizione | 120MHz |
| Temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-74, SOT-457 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SM6 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor 2 NPN (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 200mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Potenza - Max 200mW Frequenza - Transizione 300MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
