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HIP6603BECBZ

HIP6603BECBZ

Solo per riferimento

Numero parte HIP6603BECBZ
PNEDA Part # HIP6603BECBZ
Descrizione IC DRIVER MOSF SYNC BUCK 8EPSOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HIP6603BECBZ Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHIP6603BECBZ
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
HIP6603BECBZ, HIP6603BECBZ Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 732,6 KB)
PDFHIP6604BCRZ-T Datasheet Copertura
HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 2 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 3 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 4 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 5 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 6 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 7 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 8 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 9 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 10 HIP6604BCRZ-T Datasheet Pagina 11

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HIP6603BECBZ Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)15V
Tempo di salita / discesa (tipico)20ns, 20ns
Temperatura di esercizio0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 1A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5V ~ 12V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, -

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

41V

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-DFN (3x3)

ISL6700IBZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.4A, 1.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

80V

Tempo di salita / discesa (tipico)

5ns, 5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IR2130STR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

ISL6612EIBZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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