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HIP2100EIBT

HIP2100EIBT

Solo per riferimento

Numero parte HIP2100EIBT
PNEDA Part # HIP2100EIBT
Descrizione IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 8SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HIP2100EIBT Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHIP2100EIBT
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
HIP2100EIBT, HIP2100EIBT Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 742,81 KB)
PDFHIP2100IRT Datasheet Copertura
HIP2100IRT Datasheet Pagina 2 HIP2100IRT Datasheet Pagina 3 HIP2100IRT Datasheet Pagina 4 HIP2100IRT Datasheet Pagina 5 HIP2100IRT Datasheet Pagina 6 HIP2100IRT Datasheet Pagina 7 HIP2100IRT Datasheet Pagina 8 HIP2100IRT Datasheet Pagina 9 HIP2100IRT Datasheet Pagina 10 HIP2100IRT Datasheet Pagina 11

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HIP2100EIBT Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione9V ~ 14V
Tensione logica - VIL, VIH4V, 7V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Tempo di salita / discesa (tipico)10ns, 10ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ISL89167FBEAZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

1.22V, 2.08V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

MIC4421ABM-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 24ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MAX15018AASA+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 12.6V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

125V

Tempo di salita / discesa (tipico)

50ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

HIP2101IBZT7A

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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