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HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

Solo per riferimento

Numero parte HGTP5N120BND
PNEDA Part # HGTP5N120BND
Descrizione IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.424
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata ott 4 - ott 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HGTP5N120BND Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHGTP5N120BND
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
HGTP5N120BND, HGTP5N120BND Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 295,93 KB)
PDFHGTP5N120BND Datasheet Copertura
HGTP5N120BND Datasheet Pagina 2 HGTP5N120BND Datasheet Pagina 3 HGTP5N120BND Datasheet Pagina 4 HGTP5N120BND Datasheet Pagina 5 HGTP5N120BND Datasheet Pagina 6 HGTP5N120BND Datasheet Pagina 7 HGTP5N120BND Datasheet Pagina 8 HGTP5N120BND Datasheet Pagina 9 HGTP5N120BND Datasheet Pagina 10

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HGTP5N120BND Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)21A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 5A
Potenza - Max167W
Switching Energy450µJ (on), 390µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge53nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22ns/160ns
Condizione di test960V, 5A, 25Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)65ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

180W

Switching Energy

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/290ns

Condizione di test

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXGA)

IRG4BC20W

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

60µJ (on), 80µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

26nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/110ns

Condizione di test

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

400µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/130ns

Condizione di test

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

SGS13N60UFDTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

Potenza - Max

45W

Switching Energy

85µJ (on), 95µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/70ns

Condizione di test

300V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Potenza - Max

600W

Switching Energy

1.9mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

74nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/78ns

Condizione di test

450V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXYH)

Venduto di recente

74VCX162244MTD

74VCX162244MTD

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V 48TSSOP

MSP5.0A-M3/89A

MSP5.0A-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 10.9V MICROSMP

LTM8022EV#PBF

LTM8022EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-10V 1A

NPT1012B

NPT1012B

M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

PESD0402-140

PESD0402-140

Littelfuse

TVS DIODE 14V 40V 0402

MC74HC00ADR2G

MC74HC00ADR2G

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

MAX3387EEUG+

MAX3387EEUG+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

2SA1037AKT146R

2SA1037AKT146R

Rohm Semiconductor

TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346

7M24000020

7M24000020

TXC

CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD

AD820ARZ

AD820ARZ

Analog Devices

IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC

SP3232ECN-L

SP3232ECN-L

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC