HGTP2N120CN
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| Numero parte | HGTP2N120CN |
| PNEDA Part # | HGTP2N120CN |
| Descrizione | IGBT 1200V 13A 104W TO220AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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HGTP2N120CN Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTP2N120CN |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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HGTP2N120CN Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 13A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 20A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2.6A |
| Potenza - Max | 104W |
| Switching Energy | 96µJ (on), 355µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25ns/205ns |
| Condizione di test | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
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