HGTP12N60C3
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| Numero parte | HGTP12N60C3 |
| PNEDA Part # | HGTP12N60C3 |
| Descrizione | IGBT 600V 24A 104W TO220AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.032 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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HGTP12N60C3 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTP12N60C3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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HGTP12N60C3 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 24A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 12A |
| Potenza - Max | 104W |
| Switching Energy | 380µJ (on), 900µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 48nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 16A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 9A Potenza - Max 60W Switching Energy 150µJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 34nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 28ns/150ns Condizione di test 480V, 9A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
