HGTG20N60A4
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| Numero parte | HGTG20N60A4 |
| PNEDA Part # | HGTG20N60A4 |
| Descrizione | IGBT 600V 70A 290W TO247 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.816 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG20N60A4 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTG20N60A4 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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HGTG20N60A4 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 70A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 280A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Potenza - Max | 290W |
| Switching Energy | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 142nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 15ns/73ns |
| Condizione di test | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 20A Potenza - Max 164W Switching Energy 500µJ (on), 500µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 91nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 28ns/151ns Condizione di test 480V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 55ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 |
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Produttore STMicroelectronics Serie HB Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 5V, 30A Potenza - Max 260W Switching Energy 600µJ (off) Tipo di ingresso Logic Gate Charge 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/320ns Condizione di test 400V, 30A, 10Ohm, 5V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 72A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A Potenza - Max 417W Switching Energy 370µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 13ns/55ns Condizione di test 600V, 25A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 23A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Potenza - Max 100W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
