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HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

Solo per riferimento

Numero parte HGTG11N120CND
PNEDA Part # HGTG11N120CND
Descrizione IGBT 1200V 43A 298W TO247
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.208
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HGTG11N120CND Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHGTG11N120CND
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
HGTG11N120CND, HGTG11N120CND Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 229,9 KB)
PDFHGTG11N120CND Datasheet Copertura
HGTG11N120CND Datasheet Pagina 2 HGTG11N120CND Datasheet Pagina 3 HGTG11N120CND Datasheet Pagina 4 HGTG11N120CND Datasheet Pagina 5 HGTG11N120CND Datasheet Pagina 6 HGTG11N120CND Datasheet Pagina 7 HGTG11N120CND Datasheet Pagina 8 HGTG11N120CND Datasheet Pagina 9 HGTG11N120CND Datasheet Pagina 10

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HGTG11N120CND Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)43A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 11A
Potenza - Max298W
Switching Energy950µJ (on), 1.3mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/180ns
Condizione di test960V, 11A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)70ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3

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Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

62nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.4µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXBH)

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

209µJ (on), 261µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

115nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

42.5ns/177ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

510A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

1075A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Potenza - Max

2300W

Switching Energy

3.35mJ (on), 1.9mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

438nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/160ns

Condizione di test

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

IRGP4063D-EPBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

96A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Potenza - Max

330W

Switching Energy

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/145ns

Condizione di test

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

115ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

36A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/150ns

Condizione di test

600V, 16A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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