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HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Solo per riferimento

Numero parte HGTD3N60C3S9A
PNEDA Part # HGTD3N60C3S9A
Descrizione IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.292
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HGTD3N60C3S9A Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHGTD3N60C3S9A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
HGTD3N60C3S9A, HGTD3N60C3S9A Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 263,04 KB)
PDFHGTD3N60C3S9A Datasheet Copertura
HGTD3N60C3S9A Datasheet Pagina 2 HGTD3N60C3S9A Datasheet Pagina 3 HGTD3N60C3S9A Datasheet Pagina 4 HGTD3N60C3S9A Datasheet Pagina 5 HGTD3N60C3S9A Datasheet Pagina 6 HGTD3N60C3S9A Datasheet Pagina 7

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HGTD3N60C3S9A Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 3A
Potenza - Max33W
Switching Energy85µJ (on), 245µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge10.8nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test480V, 3A, 82Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 17A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/500ns

Condizione di test

800V, 17A, 82Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AE

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204AE

Produttore

IXYS

Serie

XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

95A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

235A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

937W

Switching Energy

8.3mJ (on), 7.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

147nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/230ns

Condizione di test

1250V, 25A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268HV (IXYT)

NGTB15N120IHWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 15A

Potenza - Max

278W

Switching Energy

360µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/130ns

Condizione di test

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IKP40N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

74A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Potenza - Max

255W

Switching Energy

390µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

95nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/165ns

Condizione di test

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

62ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

APT30GN60BDQ2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

63A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Potenza - Max

203W

Switching Energy

525µJ (on), 700µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

165nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/155ns

Condizione di test

400V, 30A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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