HGTD3N60C3S9A
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| Numero parte | HGTD3N60C3S9A |
| PNEDA Part # | HGTD3N60C3S9A |
| Descrizione | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.292 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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HGTD3N60C3S9A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTD3N60C3S9A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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HGTD3N60C3S9A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 6A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
| Potenza - Max | 33W |
| Switching Energy | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 10.8nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
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