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HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Solo per riferimento

Numero parte HGT1S7N60A4DS
PNEDA Part # HGT1S7N60A4DS
Descrizione IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.492
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HGT1S7N60A4DS Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHGT1S7N60A4DS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
HGT1S7N60A4DS, HGT1S7N60A4DS Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 193,73 KB)
PDFHGT1S7N60A4DS Datasheet Copertura
HGT1S7N60A4DS Datasheet Pagina 2 HGT1S7N60A4DS Datasheet Pagina 3 HGT1S7N60A4DS Datasheet Pagina 4 HGT1S7N60A4DS Datasheet Pagina 5 HGT1S7N60A4DS Datasheet Pagina 6 HGT1S7N60A4DS Datasheet Pagina 7 HGT1S7N60A4DS Datasheet Pagina 8 HGT1S7N60A4DS Datasheet Pagina 9

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HGT1S7N60A4DS Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)34A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 7A
Potenza - Max125W
Switching Energy55µJ (on), 60µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge37nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C11ns/100ns
Condizione di test390V, 7A, 25Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)34ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

840µJ (on), 7.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

83nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

92ns/1.1µs

Condizione di test

480V, 20A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

370A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 44A

Potenza - Max

330W

Switching Energy

1mJ (on), 3.75mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

26ns/310ns

Condizione di test

480V, 44A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

330V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 24A

Potenza - Max

114W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

46nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/89ns

Condizione di test

196V, 12A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IXBH9N160G

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 5A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

34nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

960V, 5A, 27Ohm, 10V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXBH)

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Produttore

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