HGT1S20N35G3VLS
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| Numero parte | HGT1S20N35G3VLS |
| PNEDA Part # | HGT1S20N35G3VLS |
| Descrizione | IGBT 380V 20A 150W TO263AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.212 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGT1S20N35G3VLS Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGT1S20N35G3VLS |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
HGT1S20N35G3VLS, HGT1S20N35G3VLS Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 247,24 KB)
  
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HGT1S20N35G3VLS Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 375V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 20A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 5V, 20A |
| Potenza - Max | 150W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Logic |
| Gate Charge | 28.7nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | -/15µs |
| Condizione di test | 300V, 10A, 25Ohm, 5V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
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Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 12A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 6A Potenza - Max 75W Switching Energy 1.5mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 20nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 40ns/250ns Condizione di test 1360V, 6A, 33Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXGH) |
