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HFA3135IHZ96

HFA3135IHZ96

Solo per riferimento

Numero parte HFA3135IHZ96
PNEDA Part # HFA3135IHZ96
Descrizione RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.550
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HFA3135IHZ96 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHFA3135IHZ96
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
HFA3135IHZ96, HFA3135IHZ96 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 364,25 KB)
PDFHFA3135IH96 Datasheet Copertura
HFA3135IH96 Datasheet Pagina 2 HFA3135IH96 Datasheet Pagina 3 HFA3135IH96 Datasheet Pagina 4 HFA3135IH96 Datasheet Pagina 5

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HFA3135IHZ96 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)9V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)5.2dB @ 900MHz
Guadagno-
Potenza - Max-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)26mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-6

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CEN1107

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MDS500L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.2dB

Potenza - Max

833W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

70GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

Guadagno

10dB ~ 24dB

Potenza - Max

136mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DFP

2SC5509-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.3V

Frequenza - Transizione

15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Guadagno

14dB

Potenza - Max

190mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TPR175

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

1.03GHz ~ 1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB ~ 9dB

Potenza - Max

290W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 20mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55CX

Pacchetto dispositivo fornitore

55CX

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