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HFA3102BZ96

HFA3102BZ96

Solo per riferimento

Numero parte HFA3102BZ96
PNEDA Part # HFA3102BZ96
Descrizione RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HFA3102BZ96 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHFA3102BZ96
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
HFA3102BZ96, HFA3102BZ96 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 462,23 KB)
PDFHFA3102B96 Datasheet Copertura
HFA3102B96 Datasheet Pagina 2 HFA3102B96 Datasheet Pagina 3 HFA3102B96 Datasheet Pagina 4 HFA3102B96 Datasheet Pagina 5 HFA3102B96 Datasheet Pagina 6 HFA3102B96 Datasheet Pagina 7

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HFA3102BZ96 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo di transistor6 NPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione10GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
Guadagno12.4dB ~ 17.5dB
Potenza - Max250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore14-SOIC

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

400MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

135mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

CMPAK-4

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

32mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.5mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

BFP740H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

27dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

2SC5087R(TE85L,F)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-61AA

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