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HER101G R1G

HER101G R1G

Solo per riferimento

Numero parte HER101G R1G
PNEDA Part # HER101G-R1G
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 29 - lug 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HER101G R1G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHER101G R1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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HER101G R1G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 300V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

GP20

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

LSIC2SD120D15

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

Gen2

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

44A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 15A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

920pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CDBJSC3650-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

190pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

R7220606HSOO

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

650A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.05V @ 1500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AB, B-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-200AB, B-PUK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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