HBAT-5402-TR1G
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| Numero parte | HBAT-5402-TR1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | HBAT-5402-TR1G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Broadcom | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 27.476 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 7 - mag 12 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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HBAT-5402-TR1G Risorse
| Brand | Broadcom |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HBAT-5402-TR1G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi - RF |
| Datasheet |
HBAT-5402-TR1G, HBAT-5402-TR1G Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 162,55 KB)
  
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HBAT-5402-TR1G Specifiche
| Produttore | Broadcom Limited |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky - 1 Pair Series Connection |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 30V |
| Corrente - Max | 220mA |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Resistenza @ If, F | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
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Produttore Broadcom Limited Serie - Tipo di diodo Schottky - 1 Pair Series Connection Tensione - Picco inverso (Max) 20V Corrente - Max 1A Capacità @ Vr, F 1.2pF @ 0V, 1MHz Resistenza @ If, F 15Ohm @ 5mA, 1MHz Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
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Produttore Broadcom Limited Serie - Tipo di diodo PIN - Single Tensione - Picco inverso (Max) 50V Corrente - Max 1A Capacità @ Vr, F 0.8pF @ 20V, 1MHz Resistenza @ If, F 600mOhm @ 10mA, 100MHz Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
Produttore Skyworks Solutions Inc. Serie - Tipo di diodo PIN - Single Tensione - Picco inverso (Max) 200V Corrente - Max 200mA Capacità @ Vr, F 0.45pF @ 30V, 1MHz Resistenza @ If, F 2.5Ohm @ 10mA, 100MHz Dissipazione di potenza (max) 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Pacchetto / Custodia 2-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 2-QFN (2x2) |
