HAT2299WP-EL-E
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| Numero parte | HAT2299WP-EL-E |
| PNEDA Part # | HAT2299WP-EL-E |
| Descrizione | MOSFET N-CH WPAK |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.534 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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HAT2299WP-EL-E Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HAT2299WP-EL-E |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
HAT2299WP-EL-E, HAT2299WP-EL-E Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 122,24 KB)
  
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HAT2299WP-EL-E Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WPAK |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
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