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HAT2099H-EL-E

HAT2099H-EL-E

Solo per riferimento

Numero parte HAT2099H-EL-E
PNEDA Part # HAT2099H-EL-E
Descrizione MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HAT2099H-EL-E Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHAT2099H-EL-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
HAT2099H-EL-E, HAT2099H-EL-E Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 103,97 KB)
PDFHAT2099H-EL-E Datasheet Copertura
HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 2 HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 3 HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 4 HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 5 HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 6 HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 7 HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 8 HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 9 HAT2099H-EL-E Datasheet Pagina 10

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HAT2099H-EL-E Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4750pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

37.9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.21mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3330pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

278W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-4

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

SSM3K2615R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

3.3V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23F

Pacchetto / Custodia

SOT-23-3 Flat Leads

NTTFS5820NLTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 37A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1462pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 4.05A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

74W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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