H11G3TM
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| Numero parte | H11G3TM |
| PNEDA Part # | H11G3TM |
| Descrizione | OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.916 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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H11G3TM Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | H11G3TM |
| Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica |
| Datasheet |
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H11G3TM Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Numero di canali | 1 |
| Tensione - Isolamento | 7500Vpk |
| Rapporto di trasferimento corrente (min) | 200% @ 1mA |
| Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
| Tempo di accensione / spegnimento (tipico) | 5µs, 100µs |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Tipo di ingresso | DC |
| Tipo di output | Darlington with Base |
| Tensione - Uscita (Max) | 55V |
| Corrente - Uscita / Canale | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | 1.3V |
| Corrente - DC diretta (If) (Max) | 60mA |
| Saturazione Vce (Max) | 1.2V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Numero di canali 1 Tensione - Isolamento 5300Vrms Rapporto di trasferimento corrente (min) 100% @ 10mA Rapporto di trasferimento corrente (massimo) 300% @ 10mA Tempo di accensione / spegnimento (tipico) 2µs, 3µs Tempo di salita / discesa (tipico) 1µs, 2µs Tipo di ingresso DC Tipo di output Transistor Tensione - Uscita (Max) 70V Corrente - Uscita / Canale 50mA Tensione - Avanti (Vf) (Tip) 1.15V Corrente - DC diretta (If) (Max) 100mA Saturazione Vce (Max) 400mV Temperatura di esercizio -55°C ~ 100°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 6-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 6-DIP |
