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H11AA1M

H11AA1M

Solo per riferimento

Numero parte H11AA1M
PNEDA Part # H11AA1M
Descrizione OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 168.560
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

H11AA1M Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteH11AA1M
CategoriaSemiconduttoriIsolatoriOptoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica
Datasheet
H11AA1M, H11AA1M Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 401,61 KB)
PDFH11AA4TM Datasheet Copertura
H11AA4TM Datasheet Pagina 2 H11AA4TM Datasheet Pagina 3 H11AA4TM Datasheet Pagina 4 H11AA4TM Datasheet Pagina 5 H11AA4TM Datasheet Pagina 6 H11AA4TM Datasheet Pagina 7 H11AA4TM Datasheet Pagina 8 H11AA4TM Datasheet Pagina 9 H11AA4TM Datasheet Pagina 10 H11AA4TM Datasheet Pagina 11

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H11AA1M Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Numero di canali1
Tensione - Isolamento4170Vrms
Rapporto di trasferimento corrente (min)20% @ 10mA
Rapporto di trasferimento corrente (massimo)-
Tempo di accensione / spegnimento (tipico)-
Tempo di salita / discesa (tipico)-
Tipo di ingressoAC, DC
Tipo di outputTransistor with Base
Tensione - Uscita (Max)30V
Corrente - Uscita / Canale50mA
Tensione - Avanti (Vf) (Tip)1.17V
Corrente - DC diretta (If) (Max)60mA
Saturazione Vce (Max)400mV
Temperatura di esercizio-40°C ~ 100°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia6-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore6-DIP

I prodotti a cui potresti essere interessato

4N46-000E

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

3750Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

200% @ 10mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

1000% @ 10mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

5µs, 150µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Darlington with Base

Tensione - Uscita (Max)

20V

Corrente - Uscita / Canale

60mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.4V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

20mA

Saturazione Vce (Max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DIP

Produttore

CEL

Serie

NEPOC

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

5000Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

50% @ 5mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

400% @ 5mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

3µs, 5µs

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

70V

Corrente - Uscita / Canale

30mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.2V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

30mA

Saturazione Vce (Max)

300mV

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

4-SMD

Produttore

CEL

Serie

NEPOC

Numero di canali

2

Tensione - Isolamento

5000Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

80% @ 5mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

600% @ 5mA

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

3µs, 5µs

Tipo di ingresso

AC, DC

Tipo di output

Transistor

Tensione - Uscita (Max)

80V

Corrente - Uscita / Canale

50mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.17V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

80mA

Saturazione Vce (Max)

300mV

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

H11G45

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

4000Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

250% @ 1mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

-

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

5µs, 150µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Darlington with Base

Tensione - Uscita (Max)

55V

Corrente - Uscita / Canale

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

11V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

60mA

Saturazione Vce (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DIP

4N26SR2VM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Numero di canali

1

Tensione - Isolamento

4170Vrms

Rapporto di trasferimento corrente (min)

20% @ 10mA

Rapporto di trasferimento corrente (massimo)

-

Tempo di accensione / spegnimento (tipico)

2µs, 2µs

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Tipo di ingresso

DC

Tipo di output

Transistor with Base

Tensione - Uscita (Max)

30V

Corrente - Uscita / Canale

-

Tensione - Avanti (Vf) (Tip)

1.18V

Corrente - DC diretta (If) (Max)

60mA

Saturazione Vce (Max)

500mV

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 100°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SMD

Venduto di recente

NDT454P

NDT454P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

WSL2010R0160FEA

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Vishay Dale

WSL-2010 .016 1% EA E3

LT1963AEST-3.3#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

ADM2484EBRWZ

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DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

ARF444

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Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

FDS6675

FDS6675

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

PCA8574AD,518

PCA8574AD,518

NXP

IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOIC

BR24T128-W

BR24T128-W

Rohm Semiconductor

IC EEPROM 128K I2C 8-DIP-T

W25X20CLSNIG

W25X20CLSNIG

Winbond Electronics

IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC

4608X-101-102LF

4608X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP

SSC54-E3/57T

SSC54-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ