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GWS9294

GWS9294

Solo per riferimento

Numero parte GWS9294
PNEDA Part # GWS9294
Descrizione MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.454
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GWS9294 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGWS9294
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GWS9294, GWS9294 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 353,95 KB)
PDFGWS9294 Datasheet Copertura
GWS9294 Datasheet Pagina 2 GWS9294 Datasheet Pagina 3 GWS9294 Datasheet Pagina 4 GWS9294 Datasheet Pagina 5 GWS9294 Datasheet Pagina 6 GWS9294 Datasheet Pagina 7 GWS9294 Datasheet Pagina 8 GWS9294 Datasheet Pagina 9

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GWS9294 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 10V
Potenza - Max3.6W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-VDFN
Pacchetto dispositivo fornitore4-QFN (2x2)

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Tipo FET

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

4.8W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

63A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V

Potenza - Max

71W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Potenza - Max

462W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Produttore

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1407pF @ 40V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

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