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GWM220-004P3-SL

GWM220-004P3-SL

Solo per riferimento

Numero parte GWM220-004P3-SL
PNEDA Part # GWM220-004P3-SL
Descrizione MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.402
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GWM220-004P3-SL Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGWM220-004P3-SL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GWM220-004P3-SL, GWM220-004P3-SL Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 208,94 KB)
PDFGWM220-004P3-SMD SAM Datasheet Copertura
GWM220-004P3-SMD SAM Datasheet Pagina 2 GWM220-004P3-SMD SAM Datasheet Pagina 3

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GWM220-004P3-SL Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia17-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-DIL™

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 15V

Potenza - Max

2.8W

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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