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GWM120-0075X1-SMDSAM

GWM120-0075X1-SMDSAM

Solo per riferimento

Numero parte GWM120-0075X1-SMDSAM
PNEDA Part # GWM120-0075X1-SMDSAM
Descrizione MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.600
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GWM120-0075X1-SMDSAM Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGWM120-0075X1-SMDSAM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GWM120-0075X1-SMDSAM, GWM120-0075X1-SMDSAM Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 629,8 KB)
PDFGWM120-0075X1-SMDSAM Datasheet Copertura
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GWM120-0075X1-SMDSAM Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia17-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-DIL™

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Produttore

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-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 12A, 10V, 22.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Potenza - Max

15.6W, 31W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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NTJD1155LT2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FDS6930A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

680mA (Ta), 460mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V, 63pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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-

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2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

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500pF @ 10V

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