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GWM120-0075X1-SMD

GWM120-0075X1-SMD

Solo per riferimento

Numero parte GWM120-0075X1-SMD
PNEDA Part # GWM120-0075X1-SMD
Descrizione MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.714
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 30 - giu 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GWM120-0075X1-SMD Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGWM120-0075X1-SMD
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GWM120-0075X1-SMD, GWM120-0075X1-SMD Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 629,8 KB)
PDFGWM120-0075X1-SMDSAM Datasheet Copertura
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GWM120-0075X1-SMD Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia17-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-DIL™

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30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1464pF @ 25V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 95A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.12mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5035pF @ 15V

Potenza - Max

2.1W (Ta), 29W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 136A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V, 45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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