GT8G133(TE12L,Q)
Solo per riferimento
| Numero parte | GT8G133(TE12L,Q) |
| PNEDA Part # | GT8G133-TE12L-Q |
| Descrizione | IGBT 400V 600MW 8TSSOP |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.896 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
GT8G133(TE12L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | GT8G133(TE12L,Q) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- GT8G133(TE12L,Q) Datasheet
- where to find GT8G133(TE12L,Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)
- GT8G133(TE12L,Q) PDF Datasheet
- GT8G133(TE12L,Q) Stock
- GT8G133(TE12L,Q) Pinout
- Datasheet GT8G133(TE12L,Q)
- GT8G133(TE12L,Q) Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- GT8G133(TE12L,Q) Price
- GT8G133(TE12L,Q) Distributor
GT8G133(TE12L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 400V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 4V, 150A |
| Potenza - Max | 600mW |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 1.7µs/2µs |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Potenza - Max 543W Switching Energy 385µJ (on), 352µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 135nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 20ns/64ns Condizione di test 400V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore D3 [S] |
Produttore IXYS Serie HiPerFAST™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 51A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A Potenza - Max 200W Switching Energy 1.2mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/100ns Condizione di test 720V, 28A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXGH) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 140A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Potenza - Max 454W Switching Energy 2.47mJ (on), 2.16mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 150nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 50ns/200ns Condizione di test 400V, 75A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 155ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 11.5A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 23A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 9A Potenza - Max 34W Switching Energy 340µJ (on), 300µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 34nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 54ns/180ns Condizione di test 480V, 9A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 37ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Potenza - Max 238W Switching Energy 1.37mJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 55.5nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 16.8ns/54.4ns Condizione di test 400V, 40A, 6Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 26ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PN |
