GT60N321(Q)
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| Numero parte | GT60N321(Q) |
| PNEDA Part # | GT60N321-Q |
| Descrizione | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.254 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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GT60N321(Q) Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GT60N321(Q) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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GT60N321(Q) Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1000V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 60A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Potenza - Max | 170W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 330ns/700ns |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3PL |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(LH) |
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