GT50J121(Q)
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| Numero parte | GT50J121(Q) |
| PNEDA Part # | GT50J121-Q |
| Descrizione | IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.448 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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GT50J121(Q) Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GT50J121(Q) |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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GT50J121(Q) Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 240W |
| Switching Energy | 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 90ns/300ns |
| Condizione di test | 300V, 50A, 13Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3PL |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P(LH) |
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