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GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Solo per riferimento

Numero parte GPA030A135MN-FDR
PNEDA Part # GPA030A135MN-FDR
Descrizione IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Produttore Global Power Technologies Group
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Disponibile 8.856
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GPA030A135MN-FDR Risorse

Brand Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGPA030A135MN-FDR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
GPA030A135MN-FDR, GPA030A135MN-FDR Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 450,94 KB)
PDFGPA030A135MN-FDR Datasheet Copertura
GPA030A135MN-FDR Datasheet Pagina 2 GPA030A135MN-FDR Datasheet Pagina 3 GPA030A135MN-FDR Datasheet Pagina 4 GPA030A135MN-FDR Datasheet Pagina 5 GPA030A135MN-FDR Datasheet Pagina 6 GPA030A135MN-FDR Datasheet Pagina 7 GPA030A135MN-FDR Datasheet Pagina 8 GPA030A135MN-FDR Datasheet Pagina 9

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GPA030A135MN-FDR Specifiche

ProduttoreGlobal Power Technologies Group
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1350V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
Potenza - Max329W
Switching Energy4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge300nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/145ns
Condizione di test600V, 30A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)450ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PN

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

88A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/163ns

Condizione di test

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRG7PK42UD1-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AFGHL50T65SQDC

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

238W

Switching Energy

131µJ (on), 96µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

94nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17.6ns/94.4ns

Condizione di test

400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

APT95GR65JDU60

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

135A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 95A

Potenza - Max

446W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

420nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

29ns/226ns

Condizione di test

433V, 95A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

APT85GR120L

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

170A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

Potenza - Max

962W

Switching Energy

6mJ (on), 3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

660nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

43ns/300ns

Condizione di test

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

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