GPA020A120MN-FD
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| Numero parte | GPA020A120MN-FD |
| PNEDA Part # | GPA020A120MN-FD |
| Descrizione | IGBT 1200V 40A 223W TO3PN |
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.640 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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GPA020A120MN-FD Risorse
| Brand | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GPA020A120MN-FD |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
GPA020A120MN-FD, GPA020A120MN-FD Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 453,05 KB)
  
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GPA020A120MN-FD Specifiche
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 40A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Potenza - Max | 223W |
| Switching Energy | 2.8mJ (on), 480µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/150ns |
| Condizione di test | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 425ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
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