GPA015A120MN-ND
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| Numero parte | GPA015A120MN-ND |
| PNEDA Part # | GPA015A120MN-ND |
| Descrizione | IGBT 1200V 30A 212W TO3PN |
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.568 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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GPA015A120MN-ND Risorse
| Brand | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GPA015A120MN-ND |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
GPA015A120MN-ND, GPA015A120MN-ND Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 387,8 KB)
  
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GPA015A120MN-ND Specifiche
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT and Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 30A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Potenza - Max | 212W |
| Switching Energy | 1.61mJ (on), 530µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25ns/166ns |
| Condizione di test | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 320ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 25A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 12A Potenza - Max 34W Switching Energy 100µJ (on), 160µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 19nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 32ns/85ns Condizione di test 300V, 12A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 100ns Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FL |
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