GP2D050A120B
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| Numero parte | GP2D050A120B |
| PNEDA Part # | GP2D050A120B |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 |
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.014 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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GP2D050A120B Risorse
| Brand | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GP2D050A120B |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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GP2D050A120B Specifiche
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Serie | Amp+™ |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 50A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 50A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 3174pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 720mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 550µA @ 80V Capacità @ Vr, F 500pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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