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GP2D010A120U

GP2D010A120U

Solo per riferimento

Numero parte GP2D010A120U
PNEDA Part # GP2D010A120U
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
Produttore Global Power Technologies Group
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.688
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GP2D010A120U Risorse

Brand Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGP2D010A120U
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
GP2D010A120U, GP2D010A120U Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 512,25 KB)
PDFGP2D010A120U Datasheet Copertura
GP2D010A120U Datasheet Pagina 2 GP2D010A120U Datasheet Pagina 3

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GP2D010A120U Specifiche

ProduttoreGlobal Power Technologies Group
SerieAmp+™
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)17A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.8V @ 5A
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3

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Produttore

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Serie

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Configurazione diodi

3 Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

50A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 50A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

B48 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MBRF300100R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

MBRT30045L

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

CDBD2050-G

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Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

45A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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