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GP2D008A120C

GP2D008A120C

Solo per riferimento

Numero parte GP2D008A120C
PNEDA Part # GP2D008A120C
Descrizione DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L
Produttore Global Power Technologies Group
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.722
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GP2D008A120C Risorse

Brand Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGP2D008A120C
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
GP2D008A120C, GP2D008A120C Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 573,2 KB)
PDFGP2D008A120C Datasheet Copertura
GP2D008A120C Datasheet Pagina 2 GP2D008A120C Datasheet Pagina 3

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GP2D008A120C Specifiche

ProduttoreGlobal Power Technologies Group
SerieAmp+™
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)24A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.8V @ 8A
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr20µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F508pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252-2L (DPAK)
Temperatura di esercizio - Giunzione-50°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VS-1N3208

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 15A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-203AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

FR2B-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA, HSMB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

STPS140Z

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

9.4A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 10A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

884pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

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